获悉，群智咨询发文表示，在2026年的第二季度，全球Memory市场持续深陷于超级存储周期的大环境里。整个季度内，市场始终呈现出供需短缺的状态，并且价格分化的特征极为突出。二季度随着新一代GPU的量产出货，带动HBM4和LPDDR需求增长以及服务器对eSSD的需求大幅增长，导致消费电子所应用的DRAM与NAND的供应紧张局势持续，价格维持大幅度上涨。

DRAM：价格分化显著，涨势逐步趋缓

2026 年第二季度DRAM 价格延续了上扬的走势，第三季度涨幅收敛。

消费电子 DRAM：以LPDDR4X/LPDDR5X为主的消费电子 DRAM 合约价格依旧保持着强劲的上涨态势。一方面LPDDR为新一代服务器GPU架构的主力DRAM，供应争夺促使存储原厂扩大对消费电子客户的价格涨幅，且部分消费电子客户率先接受了价格上涨推动了大幅涨价的确立。根据#群智咨询（Sigmaintell）的数据显示，4GB的LPDDR4X 第二季度环比第一季度上涨了75%。然而，由于内存价格的攀升对消费电子市场需求造成了较大冲击，同时消费电子终端已切实感受到成本压力，部分品牌客户开始逐步削减订单数量，这或许将抑制下半年消费端DRAM的价格上涨幅度。

通用服务器DRAM：在消费类产品中，通用服务器 DRAM 的涨幅一马当先。其渠道库存一直维持在低位，仅有 2 - 3 周的水平，而云厂商又在不断补充库存，这使得该产品价格跟随行业整体趋势维持上涨行情。

AI 服务器 / HBM：作为 AI 领域不可或缺的核心产品，HBM 的产能被厂商优先保障供应。其价格已通过年度合同进行了锁定，在 2026 年全年都保持稳定。当前，HBM 的供需矛盾极为尖锐，晶圆资源不断向其集中。

从供需两端及长期趋势看，2026 年第二季度 DRAM 市场呈现上涨态势，但上涨幅度呈现分化。需求端，AI 服务器强劲需求拉高了高带宽内存需求，而消费电子领域需求两极分化，中高端产品因性能与体验需求对 DRAM 需求刚性强，低端产品因价格敏感需求受价格攀升抑制而下 ；供应端，高附加值内存产品量产，其复杂工艺加大生产难度、增加晶圆产能消耗，且原厂库存低、扩产能力有限并优先保障 AI 客户，导致消费端 DRAM 产能被挤压、供应紧张。整体上，本季度 DRAM 供需短缺严峻，价格持续上涨但分化明显。

NAND：涨势延续，供给缺口增大

预计2026 年第二季度，NAND 闪存市场将延续此前的上扬态势，价格涨势愈发凌厉。根据群智咨询（Sigmaintell）的数据，26年第二季度SSD 环比第一季度涨幅约为50%，而移动端UFS 季度涨幅环比扩大到约100%。

在服务器 / AI eSSD 领域，伴随 AI 集群与智能体服务器的存储容量大幅提升，服务器异构技术架构强化了动态数据存储的性能、容量的需求，从而极大地刺激了数据存储需求的增长。企业级 NAND 作为满足此类需求的关键存储介质，其需求展现出极强的增长。无论市场价格如何波动，企业级 NAND 的采购需求始终居高不下，促使其价格大幅攀升。

反观 PC / 智能手机 等消费电子NAND 市场，尽管价格同样有所上涨，但其背后却隐含复杂态势。由于消费电子市场的 NAND 供应遭到挤压推动价格走高。然而，由于本地存储的需求依然增长，以及供应端收缩低端NAND供应（如：小容量eMMC），使得消费端存储NAND 的需求较难下降。

综合来看，2026 年第二季度 NAND 闪存市场受服务器 / AI eSSD 需求驱动，需求刚性支撑价格强势上扬；而 PC / 智能手机 NAND 市场虽价格上升，但因供应挤压、价格过高抑制需求等因素，未来价格涨幅面临收敛压力。这不仅反映出 AI 技术对 NAND 市场需求结构的深刻重塑，也凸显了不同市场领域在供需关系变化下的不同走向，预示着市场正处于动态调整与平衡的过程中。